图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:221000 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:12000 |
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最小起订量:200 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:13855 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 HN1B01FDW1T1 |
| 文档 |
Copper Wire 29/Oct/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Copper Wire Change 29/Oct/2009 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 200mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 2µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 200 @ 2mA, 6V |
| 功率 - 最大 | 380mW |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-74, SOT-457 |
| 供应商器件封装 | SC-74 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SC-74 |
| 类型 | NPN|PNP |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 A |
| 最小直流电流增益 | 200@2mA@6V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@10mA@100mA@NPN|0.25@10mA@100mA@PNP V |
| 最大集电极基极电压 | 60 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 380 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 380 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | SC-74 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 200mA |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 2µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SC-74 |
| 功率 - 最大 | 380mW |
| 封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 2mA, 6V |
| 其他名称 | HN1B01FDW1T1GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.15 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 at 2 mA at 6 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.2 A |
| 供应商器件封装 | SC-74 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 2µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA, 6V |
| 封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
| 功率 - 最大值 | 380mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 长度 | 3.1mm |
| 最大直流集电极电流 | 0.2 A |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 高度 | 1.1mm |
| 最大功率耗散 | 380 mW |
| 宽度 | 1.7mm |
| 封装类型 | SC-74 |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V |
| 引脚数目 | 6 |
| 最小直流电流增益 | -200 |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.1mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.3 V 直流 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V 直流 |
| 系列 | HN1B01FDW1 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 身高 | 0.94 mm |
| 长度 | 3 mm |
| Pd - Power Dissipation | 380 mW |
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